DGD2190MS8-13 vs DGD2113S16-13

Dieser detaillierte Vergleich von DGD2190MS8-13 und DGD2113S16-13 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification DGD2190MS8-13 DGD2113S16-13
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.5A, 4.5A 2.5A, 2.5A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 20ns 15ns, 13ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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