DMG1029SV-7 vs DMG1012UW-7

Dieser detaillierte Vergleich von DMG1029SV-7 und DMG1012UW-7 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1029SV-7

Dioden Incorporated

Lifecycle: Active
Stock: 4091 Stückzahl
Package: SOT-563-6
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

DMG1012UW-7

Dioden Incorporated

Lifecycle: Active
Stock: 5608 Stückzahl
Package: SOT-323-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	DMG1029SV-7	DMG1012UW-7
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	N-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	500mA, 360mA	1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.7Ohm @ 500mA, 10V	450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	30pF @ 25V	60.67 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)	-	290mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	Logic Level Gate	-
Power - Max	450mW	-

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