FDC6327C vs FDC6310P

Dieser detaillierte Vergleich von FDC6327C und FDC6310P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDC6327C

+Stückliste

1833 Stückzahl | Onsemi
FDC6310P

+Stückliste

5151 Stückzahl | Fairchild Halbleiter
Paket SSOT-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A, 1.9A 2.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4.5nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 325pF @ 10V 337pF @ 10V
Power-Max 700mW 700mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDC6327C FDC6310P

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