FDD86102LZ vs FDD86102
Dieser detaillierte Vergleich von FDD86102 und FDD86102LZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TO-252-3
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
8A (Ta), 36A (Tc)
8A (Ta), 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
24mOhm @ 8A, 10V
22.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1035 pF @ 50 V
1540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
