FDD86102LZ vs FDD8647L

Dieser detaillierte Vergleich von FDD8647L und FDD86102LZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDD8647L

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5311 Stückzahl | Onsemi
FDD86102LZ

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4300 Stückzahl | Onsemi
Paket TO-252-3 TO-252-3
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Ta), 42A (Tc) 8A (Ta), 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 9mOhm @ 13A, 10V 22.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 28 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1640 pF @ 20 V 1540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 3.1W (Ta), 43W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDD8647L FDD86102LZ

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