FDD8647L vs FDD86110
Dieser detaillierte Vergleich von FDD86110 und FDD8647L bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TO-252-3
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
14A (Ta), 42A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
35 nC @ 10 V
28 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
2265 pF @ 50 V
1640 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
3.1W (Ta), 43W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
