FDD8880 vs FDD8896 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von FDD8896 und FDD8880 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TO-252-3
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
17A (Ta), 94A (Tc)
13A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.5V @ 250µA
2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
31 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
2525 pF @ 15 V
1260 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)
55W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
