FDG6321C vs FDG6304P_D87Z

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6321C und FDG6304P_D87Z bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6321C

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
12407 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6321C FDG6304P_D87Z
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 500mA, 410mA 410mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50pF @ 10V 62pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage