FDG6335N vs FDG6301N_D87Z

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6335N und FDG6301N_D87Z bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6335N

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
1350 Stückzahl
Package
SC-70
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification FDG6335N FDG6301N_D87Z
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9.5pF @ 10V
Power - Max - 300mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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