FDG6335N vs FDG6302P

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6335N und FDG6302P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6335N

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1350 Stückzahl | Onsemi
FDG6302P

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5604 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20 MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType - 2 P-Channel (Dual)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 140mA
RdsOn(Max)@IdVgs - 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 12pF @ 10V
Power-Max - 300mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6335N FDG6302P

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