FDMC8622 vs FDMC86116LZ
Dieser detaillierte Vergleich von FDMC86116LZ und FDMC8622 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerWDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMC86116
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
2.3W (Ta), 19W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
4A (Ta), 16A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
7.3 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
402 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta), 31W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
