FDMC8030 vs FDMC86116LZ

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8030 und FDMC86116LZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3544 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMC86116LZ

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6484 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDMC8030 FDMC86116LZ
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDMC80 FDMC86116
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V 103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 6 nC @ 10 V
Vgs (Max) - ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V 310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 800mW -
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