FDMC8030 vs FDMC86116LZ
Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8030 und FDMC86116LZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
FDMC80
FDMC86116
FET Type
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1975pF @ 20V
310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
-
2.3W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Power - Max
800mW
-
