FDMC8030 vs FDMC8327L
Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8030 und FDMC8327L bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerWDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
-
2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDMC80
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
-
Power - Max
800mW
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
