FDMC8030 vs FDMC86160

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8030 und FDMC86160 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3544 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMC86160

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4379 Stückzahl
Package
WDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDMC8030 FDMC86160
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 9A (Ta), 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1290 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC80 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V -
Power - Max 800mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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