FDMC8030 vs FDMC86259P

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8030 und FDMC86259P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3544 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMC86259P

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7633 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDMC8030 FDMC86259P
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDMC80 FDMC86259
FET Type - P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V 107mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 32 nC @ 10 V
Vgs (Max) - ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V 2045 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 800mW -
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