FDMC8030 vs FDMC8032L

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8030 und FDMC8032L bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3544 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMC8032L

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6487 Stückzahl
Package
WDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDMC8030 FDMC8032L
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 7A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 11nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 720pF @ 20V
Power - Max 800mW 1.9W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC80 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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