FDMS86150 vs FDMS8050ET30

Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86150 und FDMS8050ET30 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMS86150

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4382 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification FDMS86150 FDMS8050ET30
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Not For New Designs
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 16A (Ta), 60A (Tc) 55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.85mOhm @ 16A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4065 pF @ 50 V 22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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