FDMS86150 vs FDMS86200

Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86150 und FDMS86200 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMS86150

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4382 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMS86200

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2248 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Specification FDMS86150 FDMS86200
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 16A (Ta), 60A (Tc) 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.85mOhm @ 16A, 10V 18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4065 pF @ 50 V 2715 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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