FDMS86520 vs FDMS86101
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86101 und FDMS86520 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12.4A (Ta), 60A (Tc)
14A (Ta), 42A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
8mOhm @ 13A, 10V
7.4mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
55 nC @ 10 V
40 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
3000 pF @ 50 V
2850 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
