FDMS86520 vs FDMS86200
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86520 und FDMS86200 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
14A (Ta), 42A (Tc)
9.6A (Ta), 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
8V, 10V
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
7.4mOhm @ 14A, 10V
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4.5V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
40 nC @ 10 V
46 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
2850 pF @ 30 V
2715 pF @ 75 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
