FDS6630A vs FDS6680A
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6680A und FDS6630A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12.5A (Ta)
6.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
9.5mOhm @ 12.5A, 10V
38mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23 nC @ 5 V
7 nC @ 5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1620 pF @ 15 V
460 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
