FDS6630A vs FDS6690A

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6690A und FDS6630A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS6690A

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2809 Stückzahl | Onsemi
FDS6630A

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4912 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Ta) 6.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 12.5mOhm @ 11A, 10V 38mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16 nC @ 5 V 7 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1205 pF @ 15 V 460 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDS6690A FDS6630A

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