FDS6990A vs FDS6930A

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6990A und FDS6930A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS6990A

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3513 Stückzahl | Onsemi
FDS6930A

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2195 Stückzahl | Onsemi
Paket 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Supplier onsemi -
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Obsolete -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A -
RdsOn(Max)@IdVgs 18mOhm @ 7.5A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17nC @ 5V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1235pF @ 15V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 40mOhm @ 5.5A, 10V
Base Product Number - FDS6930
Vergleichsmodell : FDS6990A FDS6930A

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