FDS6912A vs FDS6930A
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6912A und FDS6930A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
40mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
460pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS6930
ProductStatus
Active
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 6A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1nC @ 5V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
