FDS6912A vs FDS6910

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6910 und FDS6912A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS6910

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6487 Stückzahl | Onsemi
FDS6912A

+Stückliste

2230 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Obsolete Active
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A 6A
RdsOn(Max)@IdVgs 13mOhm @ 7.5A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24nC @ 10V 8.1nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1130pF @ 15V 575pF @ 15V
Power-Max 900mW 900mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDS6910 FDS6912A

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