FDS6912A vs FDS6900AS-G
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6912A und FDS6900AS-G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Supplier
-
Flip Electronics,onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®, SyncFET™
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
6.9A, 8.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 6A, 10V
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1nC @ 5V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
600pF @ 15V
Power-Max
900mW
900mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
