FDS6990A vs FDS6930B
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6990A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.5A
7.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
38mOhm @ 5.5A, 10V
18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
3.8nC @ 5V
17nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
412pF @ 15V
1235pF @ 15V
Power-Max
900mW
900mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
