FDS6990A vs FDS6990AS
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6990AS und FDS6990A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®, SyncFET™
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 15V
-
Power - Max
900mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Base Product Number
FDS6990
-
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
7.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
17nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1235pF @ 15V
Power-Max
-
900mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
