FDS89161LZ vs FDS8958B

Dieser detaillierte Vergleich von FDS8958B und FDS89161LZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS8958B

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2336 Stückzahl | Onsemi
FDS89161LZ

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5815 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.4A, 4.5A 2.7A
RdsOn(Max)@IdVgs 26mOhm @ 6.4A, 10V 105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12nC @ 10V 5.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 540pF @ 15V 302pF @ 50V
Power-Max 900mW 1.6W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDS8958B FDS89161LZ

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