FDS89161LZ vs FDS8960C

Dieser detaillierte Vergleich von FDS89161LZ und FDS8960C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS89161LZ

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5815 Stückzahl | Onsemi
FDS8960C

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7963 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
Series PowerTrench® -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Standard -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A -
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 2.7A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.3nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 302pF @ 50V -
Power-Max 1.6W -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : FDS89161LZ FDS8960C

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