FDS89161LZ vs FDS8962C

Dieser detaillierte Vergleich von FDS89161LZ und FDS8962C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS89161LZ

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5815 Stückzahl | Onsemi
FDS8962C

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3906 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A 7A, 5A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 2.7A, 10V 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.3nC @ 10V 26nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 302pF @ 50V 575pF @ 15V
Power-Max 1.6W 900mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDS89161LZ FDS8962C

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