FDY302NZ vs FDY3001NZ

Dieser detaillierte Vergleich von FDY302NZ und FDY3001NZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDY302NZ

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2866 Stückzahl
Package
SOT-523-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

FDY3001NZ

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
8544 Stückzahl
Package
SOT-666
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification FDY302NZ FDY3001NZ
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA (Ta) 200mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 600mA, 4.5V 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V 1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60 pF @ 10 V 60pF @ 10V
Power - Max - 446mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Vgs(Max) ±12V -
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta) -
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