FDY3000NZ vs FDY302NZ
Dieser detaillierte Vergleich von FDY302NZ und FDY3000NZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-523-3
SOT-563
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20 V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
600mA (Ta)
600mA
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
1.8V, 4.5V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
300mOhm @ 600mA, 4.5V
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
1.3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
1.1nC @ 4.5V
Vgs(Max)
±12V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
60 pF @ 10 V
60pF @ 10V
PowerDissipation(Max)
625mW (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
446mW
