FDY302NZ vs FDY3000NZ

Dieser detaillierte Vergleich von FDY302NZ und FDY3000NZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDY302NZ

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2866 Stückzahl
Package: SOT-523-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

FDY3000NZ

Fairchild Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 6144 Stückzahl
Package: SOT-563
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	FDY302NZ	FDY3000NZ
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	600mA (Ta)	600mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	1.8V, 4.5V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	300mOhm @ 600mA, 4.5V	700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	1.1 nC @ 4.5 V	1.1nC @ 4.5V
Vgs(Max)	±12V	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	60 pF @ 10 V	60pF @ 10V
Power Dissipation (Max)	625mW (Ta)	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	-	Logic Level Gate
Power - Max	-	446mW

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