FGH40N60SMDF vs FGH40N60SMD

Dieser detaillierte Vergleich von FGH40N60SMDF und FGH40N60SMD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SMDF

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3198 Stückzahl
Package: TO-247
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

FGH40N60SMD

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 1472 Stückzahl
Package: TO-247
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	FGH40N60SMDF	FGH40N60SMD
Part Status	Active	Active
IGBT Type	Field Stop	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.5V @ 15V, 40A	2.5V @ 15V, 40A
Power - Max	349 W	349 W
Switching Energy	1.3mJ (on), 260µJ (off)	870µJ (on), 260µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	119 nC	119 nC
Td(on / off) @ 25°C	12ns/92ns	12ns/92ns
Test Condition	400V, 40A, 6Ohm, 15V	400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	90 ns	36 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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