FGH40N60SMD vs FGH40N6S2

Dieser detaillierte Vergleich von FGH40N60SMD und FGH40N6S2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification FGH40N60SMD FGH40N6S2
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.5V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 349 W 290 W
Switching Energy 870µJ (on), 260µJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 119 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 12ns/92ns 8ns/35ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 36 ns -
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