FGH40T120SMD
Fairchild Halbleiter
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2036 Stückzahl
- Package
- TO-247
- Series
- Transistoren von IGBTs
Dieser detaillierte Vergleich von FGH40T120SMD und FGH40N60SMD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.
Fairchild Halbleiter
Onsemi
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| Specification | FGH40T120SMD | FGH40N60SMD |
|---|---|---|
| Part Status | Active | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1200 V | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 80 A | 80 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 160 A | 120 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.4V @ 15V, 40A | 2.5V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 555 W | 349 W |
| Switching Energy | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | 870µJ (on), 260µJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 370 nC | 119 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 40ns/475ns | 12ns/92ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns | 36 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |