FGH40N60SMDF
Onsemi
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 3198 Stückzahl
- Package
- TO-247
- Series
- Transistoren von IGBTs
Dieser detaillierte Vergleich von FGH40N60SMDF und FGH40T100SMD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.
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| Specification | FGH40N60SMDF | FGH40T100SMD |
|---|---|---|
| Supplier | - | onsemi |
| Part Status | Active | Obsolete |
| IGBT Type | Field Stop | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 1000 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 80 A | 80 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 120 A | 120 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.5V @ 15V, 40A | 2.3V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 349 W | 333 W |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 260µJ (off) | 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 119 nC | 265 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 12ns/92ns | 29ns/285ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns | 78 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |