FGH60N60SFDTU vs FGH60N6S2

Dieser detaillierte Vergleich von FGH60N60SFDTU und FGH60N6S2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH60N60SFDTU

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3091 Stückzahl
Package: TO-247AB-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

FGH60N6S2

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 9926 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	FGH60N60SFDTU	FGH60N6S2
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	120 A	75 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	180 A	320 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.9V @ 15V, 60A	2.5V @ 15V, 40A
Power - Max	378 W	625 W
Switching Energy	1.79mJ (on), 670µJ (off)	400µJ (on), 310µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	198 nC	140 nC
Td(on / off) @ 25°C	22ns/134ns	18ns/70ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V	390V, 40A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
IGBT Type	Field Stop	-
Reverse Recovery Time (trr)	47 ns	-

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