FGH60N60SFDTU vs FGH60N60SMD

Dieser detaillierte Vergleich von FGH60N60SFDTU und FGH60N60SMD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD
Part Status Active Active
IGBT Type Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 120 A 120 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.9V @ 15V, 60A 2.5V @ 15V, 60A
Power - Max 378 W 600 W
Switching Energy 1.79mJ (on), 670µJ (off) 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 198 nC 189 nC
Td(on / off) @ 25°C 22ns/134ns 18ns/104ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 47 ns 39 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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