G5S12002C vs G5S12002A

Dieser detaillierte Vergleich von G5S12002C und G5S12002A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

G5S12002C

Global Power Technology Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
2987 Stückzahl
Package
TO-252-3
Series
Dioden-Gleichrichter
+Stückliste Anfrage
Part B

G5S12002A

Global Power Technology Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
6259 Stückzahl
Package
TO-220-2
Series
Dioden-Gleichrichter
+Stückliste Anfrage

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Specification G5S12002C G5S12002A
Supplier Global Power Technology Co. Ltd Global Power Technology Co. Ltd
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V 1200 V
Current - Average Rectified(Io) 8.8A (DC) 10A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A 1.7 V @ 2 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr F 170pF @ 0V, 1MHz 170pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Through Hole
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