GD25LE64CLIGR vs GD25LE128DLIGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LE64CLIGR und GD25LE128DLIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25LE64CLIGR

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2679 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE128DLIGR

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3943 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket WLSCP-21 WLSCP-21
Beschreibung IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 21WLCSP IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 64Mb (8M x 8) 128Mb (16M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 120 MHz
Write Cycle Time - Word Page 2.4ms 2.4ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25LE64CLIGR GD25LE128DLIGR

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