GD25LE32DLIGR vs GD25LE64CLIGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LE32DLIGR und GD25LE64CLIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25LE32DLIGR

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1945 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE64CLIGR

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2679 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket WLSCP-21
Beschreibung IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 21WLCSP IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 21WLCSP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 32Mbit 64Mb (8M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 133 MHz
Write Cycle Time - Word Page - 2.4ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number GD25LE32 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Memory Organization 4M x 8 -
Write Cycle Time - Word, Page 2.4ms -
Packaging Tape & Reel (TR) -
Vergleichsmodell : GD25LE32DLIGR GD25LE64CLIGR

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