GD25LE128DLIGR vs GD25LE16CLIGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LE128DLIGR und GD25LE16CLIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25LE128DLIGR

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3943 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE16CLIGR

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7991 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket WLSCP-21 WLSCP-21
Beschreibung IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 21WLCSP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 128Mb (16M x 8) 16Mb (2M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 2.4ms 50µs, 2.4ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2.1V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25LE128DLIGR GD25LE16CLIGR

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