GD25Q80ESIGR vs GD25Q16CSJG

Dieser detaillierte Vergleich von GD25Q80ESIGR und GD25Q16CSJG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification GD25Q80ESIGR GD25Q16CSJG
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 8Mb (1M x 8) 16Mb (2M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 120 MHz
Write Cycle Time - Word Page 70µs, 2ms 50µs, 2.4ms
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
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