GD25VQ40CEIGR vs GD25VE20CEIGR

Dieser detaillierte Vergleich von GD25VQ40CEIGR und GD25VE20CEIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25VQ40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 7934 Stückzahl
Package: XFDFN-8
Series: Speicher

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Part B

GD25VE20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 5792 Stückzahl
Package: XFDFN-8
Series: Speicher

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	GD25VQ40CEIGR	GD25VE20CEIGR
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Memory Type	Non-Volatile	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	FLASH
Technology	FLASH - NOR	FLASH - NOR
Memory Size	4Mb (512K x 8)	2Mb (256K x 8)
Memory Interface	SPI - Quad I/O	SPI - Quad I/O
Clock Frequency	104 MHz	104 MHz
Write Cycle Time - Word Page	50µs, 3ms	-
Voltage - Supply	2.3V ~ 3.6V	2.1V ~ 3.6V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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