GD25VQ40CEIGR vs GD25VQ80CEIGR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25VQ40CEIGR und GD25VQ80CEIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25VQ40CEIGR

+Stückliste

7934 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CEIGR

+Stückliste

5901 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket XFDFN-8 XFDFN-8
Beschreibung IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 4Mb (512K x 8) 8Mb (1M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 104 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 3ms 50µs, 3ms
Voltage - Supply 2.3V ~ 3.6V 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25VQ40CEIGR GD25VQ80CEIGR

+Stückliste Anfrage