IR2101STRPBF vs IR2103S

Dieser detaillierte Vergleich von IR2103S und IR2101STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2103S

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6023 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2101STRPBF

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4635 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOIC 8N
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Obsolete Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 210mA, 360mA 210mA, 360mA
InputType Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2103S IR2101STRPBF

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