IR2104STRPBF vs IR2101S

Dieser detaillierte Vergleich von IR2101S und IR2104STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2101S

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7072 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2104STRPBF

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6506 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2101 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Synchronous
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 210mA, 360mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 100ns, 50ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2101S IR2104STRPBF

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