IR2110PBF vs IR2117
Dieser detaillierte Vergleich von IR2110PBF und IR2117 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
DIP-14
DIP-8
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
Half-Bridge
High-Side
ChannelType
Independent
Single
NumberofDrivers
2
1
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
3.3V ~ 20V
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
2A, 2A
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
500 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
25ns, 17ns
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
