IR2110STRPBF vs IR2110S

Dieser detaillierte Vergleich von IR2110S und IR2110STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2110S

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5478 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2110STRPBF

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1823 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC 16W
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2110 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 2A, 2A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 500 V
Rise/FallTime(Typ) - 25ns, 17ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2110S IR2110STRPBF

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